成果简介

    中科院苏州纳米技术与仿生研究所:

目前，美国Qorvo和其他多数厂商均采用GaN-on-SIC技术路线制备GaN基射频器件。然而，SiC村底成本较高，区此，研制低成本的硅基GaN射频器件成为迫切需求。另-方面，为提升器件频率特性,通常采用超薄、高Al组分AIGaN势垒层。而高Al组分同时会导致合金组分不均匀、局部应力大、甚至产生微裂纹等问题，从而严重影响器件性能。针对上述问题，中科院苏州纳米所通过在高Al组分AIGaN势垒层的生长过程中通入TMn,显著提升AI原子在生长表面的迁移能力,从而改善了组分均匀性，有效减小了局部应力，成功生长出高质量、无裂纹的超薄(~5nm)、高AI组分 (-57%)AInGaN势垒层，井与中电55所合作成功研制出硅衬底上基于AIlInGaN/GaN异质结的T型栅高频微波器件。

技术优势

中科院苏州纳米所成功研制出硅衬底上基于AInGaN/GaN异质结的T型栅高频微波器件，输出电流为1.25A/mm,跨导为420mS/mm.器件频率特性方面，电流增益截止频率f,达到145GHz,功率增益截至频率f.达到215GHz,为已报道硅基GaN射频微波器件的国际先进水平，且相关核心技术已进行专利申请保护(-种用于制备GaN基高频微波器件的方法，201810140968.2)。未来，将与中电55所、中环半导体股份有限公司展开实质性合作，推进硅基GaN高频微波器件在5G通信技术方面的应用。

应用市场

5G通信

知识产权

拟合作模式

合作开发,技术转让,技术入股